文献

J-GLOBAL ID：201702298711700703   整理番号：17A0214337

先端技術のBEOLヘラジカの基本AC TDDB研究【Powered by NICT】

A fundamental AC TDDB study of BEOL ELK in advanced technology

著者 (4件)： Chang M. N. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan 300-77, R.O.C.) ,  Lee Y.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan 300-77, R.O.C.) ,  Lee S. Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan 300-77, R.O.C.) ,  Huang Y. S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., 121, Park Ave. 3, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan 300-77, R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 31.7.1-31.7.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,10nm技術におけるBEOL極端な低k(ELK)誘電体におけるAC TDDBを徹底的に調べた。ELK誘電体のAC TDDB定電圧ストレス(DC TDDB)よりも良好な時間の中央値の失敗(MTTF)とより緊密なWeibull分布を持つことを示した。単極AC TDDBストレスでは,非常に有意な回復過程が観測された。容量回復解析を通して,ELKの捕獲及び放出時定数は,それぞれ≦10~ 3と~10~ 8秒であることが分かった,応力期間は10~ 3秒で時には,電荷捕獲の確率が低いことを意味するストレス期間である10~ 8秒より低い場合,一方電荷デトラップを連続して発生した。結果として,単極AC TDDB寿命は周波数の増加と共に増加した。添加では,単極AC TDDB改善は非常に顕著な電荷トラップ/デトラップ効果に起因するデューティ比へのべき乗則依存性を示した。これは,物理ベースシミュレーションにより検証した。一方,バイポーラACストレスは逆流Cuイオンドリフトを随伴し,それにより欠陥成長率を拡張し,TDDB性能を改善するへのイオン拡散を引き起こした。しかし,臨界Cuイオン濃度はイオン拡散機構により制約されたためにDC比バイポーラACには有意な周波数およびデューティ比依存性を見出した。AC条件における実際の回路動作はBEOL ELK誘電体のためのDCストレス評価による投影よりもはるかに長いバックエンドTDDB寿命を持つべきであることを示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 成長率 ,  電荷 ,  イオン拡散 ,  *銅 ,  時定数 ,  臨界 ,  誘電体 ,  イオン濃度 ,  Weibull分布 ,  べき乗則 ,  電荷捕獲 ,  *経時絶縁破壊
準シソーラス用語： デューティサイクル ,  電圧ストレス ,  *TDDB ,  *BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 風力エネルギー  (LB03060X) ,  局地循環,気流  (DC05090N)

タイトルに関連する用語 (5件)： BEOL ,  ヘラジカ ,  Ac ,  TDDB ,  研究