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J-GLOBAL ID：201702298968608310   整理番号：17A1421114

ポリ(スチレンスルホン酸)ナノリボンをドープしたイオン性液体ゲルゲートエレクトロスピニングポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)【Powered by NICT】

Ionic liquid gel gated electro-spun poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with poly(styrene sulfonic acid) nano-ribbon

著者 (2件)： Ortiz Deliris N. (Department of Physics and Electronics, University of Puerto Rico at Humacao, Call Box 860, Humacao 00792, Puerto Rico) ,  Pinto Nicholas J. (Department of Physics and Electronics, University of Puerto Rico at Humacao, Call Box 860, Humacao 00792, Puerto Rico)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 636  ページ： 737-742  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気紡糸ポリ(3,4-ethylenedioxthiophene)-ポリ(スチレンスルホン酸)PEDOT:PSSナノリボンを作製し,イオン液体(IL)ゲル誘電体を用いたゲートすることに成功した。IL(10μF/cm~2)の高い比静電容量は,幅に比較して,より長いチャネル長と低い動作電圧と試験装置を可能にした。正のゲートバイアス下では,素子は可逆的電気化学トランジスタとして動作した。チャネル電流の変化は負のバイアスの下ではるかに高く,同時電気化学的および静電電荷ドーピング機構の存在を示唆した。トランジスタオン/オフ比は730であり,正孔移動度は蓄積モードで5.5cm~/V秒であった。100Hz矩形波試験信号をゲートに適用し,デバイス応答は近傍の瞬間と入力信号に忠実に続いて変化た。PEDOT:PSSのILゲートは,電気化学的および静電ドーピングによるその使用を拡張する可能性を明らかにした。また,ダイオード,トランジスタとバイオセンサにおける利用可能性を持つ多機能このポリマに基づく素子にするであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  トランジスタ ,  誘電体 ,  電荷 ,  *イオン液体 ,  チャネル ,  *ポリスチレンスルホン酸 ,  *エレクトロスピニング ,  バイオセンサ ,  電気化学 ,  *ゲル ,  バイアス
準シソーラス用語： PEDOT:PSS ,  正孔移動度 ,  *ナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： イオン液体ゲル ,  エレクトロスピニング ,  PEDOT:PSS ,  ナノリボン

分類 (5件)： 発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： スチレンスルホン酸 ,  ナノリボン ,  ドープ ,  イオン性液体