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J-GLOBAL ID：201702299034613848   整理番号：17A0608693

アンドープGaAs/n型GaAsエピ構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードの時間領域テラヘルツ分光とラマン散乱分光

著者 (3件)： 竹内日出雄 (大阪市大 工) ,  住岡隆弘 (大阪市大 工) ,  中山正昭 (大阪市大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.19pK-PS-27  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *タイムドメイン分光法 ,  *テラヘルツ波 ,  *表面増強Raman分光法 ,  *ヒ化ガリウム ,  表面プラズモン ,  フォノン ,  エピタクシー ,  ドーピング ,  N型半導体 ,  化合物半導体 ,  パワースペクトル ,  *テラヘルツ分光法 ,  プラズモン結合 ,  縦光学フォノン
準シソーラス用語： 結合モード

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  縦光学フォノン ,  プラズモン結合 ,  時間領域 ,  テラヘルツ分光 ,  ラマン散乱 ,  分光