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J-GLOBAL ID：201702299811603477   整理番号：17A1833430

半導体ナノワイヤにおける表面トラップ誘起伝導率型スイッチング:解析的および数値的解析【Powered by NICT】

Surface Trap-Induced Conductivity Type Switching in Semiconductor Nanowires: Analytical and Numerical Analyses

著者 (3件)： Yesayan Ashkhen (Institute of Radiophysics and Electronics, NAS RA, Ashtarak, Armenia) ,  Pregaldiny Fabien (ICube, Universite ́ de Strasbourg-CNRS, Illkirch Cedex, France) ,  Petrosyan Stepan (Institute of Mathematics and High Technology, Russian-Armenian (Slavonic) University, Yerevan, Armenia)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 12  ページ： 5249-5255  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高表面対体積比のため,表面トラップが半導体ナノワイヤとナノワイヤに基づくデバイスの電子特性に重要な役割を果たしている。最近,も表面トラップは半導体ナノワイヤにおける伝導率型反転を誘導できることを実験的に示した。ここでは,表面トラップによる可能な反転を含む半導体ナノワイヤ伝導率への表面トラップの影響を研究するための理論的と数値解析を行った。可動電荷の種類とイオン化ドナーの両方を考慮してPoisson方程式をNeumann境界条件における表面トラップされた電荷を持つ解いた。異なる半導体材料と表面トラップ密度を考察した。計算は単一エネルギー準位表面トラップを考慮して行った,その結果は表面状態密度の指数関数的エネルギー分布に一般化した。表面トラップの影響を低濃度ドープと高濃度にドープしたナノワイヤの両方に対して解析した。は中程度または低濃度ドープNWに対して,p型NTOから伝導率型は小半径で起こり得ることを示した。開発したポテンシャルベース解析モデルを表面トラップのために上昇する反転電荷を計算できる。解析計算の精度は,TCADシミュレーションを用いて検証し,公表された実験データと定性的に比較した。ナノワイヤベース光検出器,センサ,および再構成可能なFETの設計最適化に有用である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 解析モデル ,  電荷 ,  エネルギー分布 ,  Poisson方程式 ,  体積率 ,  光検出器 ,  半導体材料 ,  *スイッチング ,  状態密度 ,  *ナノワイヤ ,  数値解析 ,  ドーピング ,  センサ
準シソーラス用語： *伝導率 ,  *半導体ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体ナノワイヤ ,  トラップ ,  誘起 ,  伝導率 ,  スイッチング ,  解析 ,  数値