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J-GLOBAL ID：201702299822386825   整理番号：17A0412528

ハイブリッド材料で修飾した炭素ペースト電極を用いた効率的で選択的な全ひ素センサの作製【Powered by NICT】

Fabrication of efficient and selective total arsenic sensor using the hybrid materials modified carbon paste electrodes

著者 (3件)： Tiwari Diwakar (Department of Chemistry, School of Physical Sciences, Mizoram University, Aizawl 796004, India) ,  Zirlianngura (Department of Chemistry, School of Physical Sciences, Mizoram University, Aizawl 796004, India) ,  Lee Seung Mok (Department of Environmental Engineering, Catholic Kwandong University, 522 Naegok-dong, Gangneung 210-701, Republic of Korea)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 784  ページ： 109-114  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿の目的は,中性pH条件で水溶液から全ヒ素の低レベル検出のためのロバストな電気分析ツールを開発することである。ハイブリッド材料を天然粘土を用いて得られた。さらに,カーボンペースト電極(CPE)をハイブリッド材料で修飾し,全ヒ素(V)の検出に用いた。ヒ素(V)はAs(III)への化学的還元に先立って検出された。低減したヒ素(V)のpH依存性電気化学的挙動をpH2~10.0までの広い範囲で得られた。ひ素の特性還元ピークは約0.8Vの印加電圧でハイブリッド材料修飾CPEを用いて得られた。濃度依存性の研究は,ヒ素(V)濃度を5.0から40.0μg/.によるヒ素(V)に対して行った。還元電流の顕著な増加は改質CPEを用いた電位 0.80V周辺で測定した。回帰直線はヒ素(V)および陰極ピーク電流値の検討した濃度の間で得られた。さらに,検出限界(DL)及び定量限界(QL)はハイブリッド材料修飾CPEsを用いたひ素(V)で得られた。DL値は材料BCH(HDTMA負荷ベントナイト),LCH(HDTMA負荷局所粘土)とLCAH(アルミニウム柱状HDTMA負荷局所粘土)-修飾CPEsに対して2.214%,1.502%および1.408μg/Lであった。いくつかの干渉イオン(Cd(II), Pb(II), Cu(II), Mn(II), Fe(III),EDTA,グリシンとPO_4~3-)の十倍過剰はAs(V)の検出で検討した。同様に,水道水はヒ素(V)を添加し,水溶液からのヒ素(V)の検出のために調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ベントナイト ,  水溶液 ,  pH依存性 ,  *炭素電極 ,  アルミニウム ,  濃度依存性 ,  ロバスト性 ,  水道水 ,  検出限界 ,  電気化学的挙動 ,  定量限界 ,  *ヒ素 ,  粘土 ,  脂肪族アミン ,  脂肪族カルボン酸 ,  アミノカルボン酸 ,  ジアミン
準シソーラス用語： *ハイブリッド材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： As(V) ,  電気化学センサ ,  ハイブリッド材料 ,  検出限界 ,  干渉イオン ,  実水マトリックス

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (1件)： EDTA

タイトルに関連する用語 (5件)： ハイブリッド材料 ,  修飾 ,  炭素ペースト電極 ,  ひ素 ,  作製