特許

J-GLOBAL ID：201703000030212680

熱ドナーの形成に使用するアニール炉を較正する方法

発明者： セバスチャン・デュボワ ,  ジョルディ・ベイルマン
出願人/特許権者： コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ
代理人 (1件)： 特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-240061
公開番号（公開出願番号）：特開2017-141142
出願日： 2016年12月12日
公開日（公表日）： 2017年08月17日
要約：

【課題】第1のアニールに半導体材料の試料が炉に供される時、熱ドナーの形成を正確に制御できる、炉の較正方法の提供。【解決手段】下記のa〜eのステップを含む、較正方法。a)半導体材料からなる較正小片を用意するステップ、b)較正小片の格子間酸素濃度を決定するステップ、c)較正小片を炉中で第2の熱ドナー形成アニールに供するステップであって、第2のアニールが、第1のアニールと同一である炉の温度の上昇および下降、ならびに設定温度TCにおける設定時間の第2のプラトーを含むステップ、d)第2のアニール中に較正小片に形成される熱ドナー濃度を決定するステップ、ならびにe)少なくとも炉の温度の前記上昇および下降に対応する、設定温度TCにおける等価アニール時間を、較正小片の格子間酸素濃度、較正小片の熱ドナー濃度および設定時間から決定するステップ【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炉の温度の上昇(P1)、設定温度(TC)における第1のプラトー(P2)および炉の温度の下降(P3)を連続的に含む第1の熱ドナー形成アニールに、半導体材料の試料を供することを可能にする炉の較正方法であって、 a)半導体材料からなる較正小片(40、80)を用意するステップ(S1)、 b)較正小片の格子間酸素濃度を決定するステップ(S2)、 c)較正小片を炉中で第2の熱ドナー形成アニールに供するステップ(S3)であって、第2のアニールが、第1のアニールと同一である炉の温度の上昇および下降、ならびに設定温度(TC)における設定時間(tc’)の第2のプラトーを含むステップ、 d)第2のアニール中に較正小片に形成される熱ドナー濃度を決定するステップ(S4)、ならびに e)少なくとも炉の温度の前記上昇および下降に対応する、設定温度(TC)における等価アニール時間(teq)を、較正小片の格子間酸素濃度、較正小片の熱ドナー濃度および設定時間(tc’)から決定するステップ(S5) を含む方法。

IPC (2件)：

C30B 33/02 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

C30B33/02 ,  H01L21/324 T ,  H01L21/324 N

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077FE12 ,  4G077FE17 ,  4G077FE20 ,  4G077HA12