特許

J-GLOBAL ID：201703000203659260

半導体ウェーハの洗浄方法

発明者： 更級 晋 ,  高野 智史
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
代理人 (2件)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055294
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168785
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】半導体ウェーハをSC-2洗浄する際に、半導体ウェーハ表面における金属不純物レベルを悪化させることなく、パーティクルレベルを向上させることができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。【解決手段】SC-2溶液を含む薬液槽を用いて半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記薬液槽を複数用い、該複数の薬液槽に含まれるSC-2溶液のうち、最後に用いる薬液槽に含まれるSC-2溶液中のHCl濃度を最も低くして前記半導体ウェーハを洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SC-2溶液を含む薬液槽を用いて半導体ウェーハを洗浄する方法であって、 前記薬液槽を複数用い、該複数の薬液槽に含まれるSC-2溶液のうち、最後に用いる薬液槽に含まれるSC-2溶液中のHCl濃度を最も低くして前記半導体ウェーハを洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/304 642B ,  H01L21/304 648G

Fターム (18件)：

5F157AA46 ,  5F157AA73 ,  5F157AB51 ,  5F157AC01 ,  5F157AC43 ,  5F157BB02 ,  5F157BB66 ,  5F157BC53 ,  5F157BE12 ,  5F157BE23 ,  5F157BE44 ,  5F157CB03 ,  5F157CB11 ,  5F157CB32 ,  5F157CE05 ,  5F157CE36 ,  5F157CE37 ,  5F157DB38