特許

J-GLOBAL ID：201703000215343870

カーボンナノチューブアレイ、材料、電子機器、カーボンナノチューブアレイの製造方法および電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 丸山 茂夫 ,  千足 昇平 ,  大塚 慶吾 ,  井ノ上 泰輝
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015055770
公開番号（公開出願番号）：WO2015-133387
出願日： 2015年02月27日
公開日（公表日）： 2015年09月11日
要約：

熱キャピラリ流とは異なるメカニズムを用いて、簡便な工程によりm-CNTフリーのカーボンナノチューブアレイを得るために、A)m-及びs-CNTが水平に配向配置されるカーボンナノチューブアレイを準備する工程と;B)カーボンナノチューブアレイ上に有機物からなる層を形成する工程と;C)カーボンナノチューブアレイに、カーボンナノチューブアレイを構成するカーボンナノチューブの長軸方向に沿って、電圧を空気中で印加する工程と;D)有機物からなる層を除去する工程;とを有するカーボンナノチューブアレイの製造方法および得られたカーボンナノチューブアレイ。

請求項（抜粋）：

半導体型カーボンナノチューブが密度1本/μm以上で水平配向配置した、金属型カーボンナノチューブフリーのカーボンナノチューブアレイ。

IPC (7件)：

C01B 32/152 ,  C01B 32/158 ,  B82B 1/00 ,  H01B 1/04 ,  H01B 13/00 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (6件)：

C01B31/02 101F ,  B82B1/00 ,  H01B1/04 ,  H01B13/00 Z ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Fターム (29件)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AC22A ,  4G146AC22B ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CB11 ,  4G146CB14 ,  4G146CB19 ,  4G146CB26 ,  4G146CB29 ,  4G146CB35 ,  5G301BA03