特許

J-GLOBAL ID：201703000283250626

固体撮像装置

発明者： 手塚 智之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (9件)： 岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  齋藤 正巳 ,  木村 克彦 ,  田中 尚文 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-070527
公開番号（公開出願番号）：特開2017-183580
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：

【課題】画素の集積度を損なうことなくシェーディングや白キズを抑制しうる固体撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板に設けられた第1導電型の第1の半導体領域からなるウェルと、ウェル内に設けられ、光電変換素子と、第2導電型の第2の半導体領域を含むトランジスタと、を有する画素と、第1の半導体領域に電気的に接続された第1のコンタクト電極と、第2の半導体領域に電気的に接続された第2のコンタクト電極と、を有し、第1のコンタクト電極は、第2のコンタクト電極よりも半導体基板に対する接触面積が大きく、平面視における第1の方向の幅と第1の方向と交差する第2の方向の幅とが異なっている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられた第1導電型の第1の半導体領域からなるウェルと、 前記ウェル内に設けられ、光電変換素子と、第2導電型の第2の半導体領域を含むトランジスタと、を有する画素と、 前記第1の半導体領域に電気的に接続された第1のコンタクト電極と、 前記第2の半導体領域に電気的に接続された第2のコンタクト電極と、を有し、 前記第1のコンタクト電極は、前記第2のコンタクト電極よりも前記半導体基板に対する接触面積が大きく、平面視における第1の方向の幅と前記第1の方向と交差する第2の方向の幅とが異なっている ことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H04N 5/374

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H01L29/44 P ,  H01L27/08 102D ,  H04N5/335 740

Fターム (37件)：

4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104FF11 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  4M118AA05 ,  4M118AA06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA22 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118GC07 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  5C024CX31 ,  5C024CY47 ,  5C024EX34 ,  5C024EX42 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX55 ,  5C024HX60 ,  5F048AA04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BE09 ,  5F048BF01 ,  5F048BF18