特許
J-GLOBAL ID：201703000307304315
荷電粒子ビーム描画装置の調整方法及び荷電粒子ビーム描画方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
重野 剛
, 重野 隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-057163
公開番号（公開出願番号）：特開2017-022359
出願日： 2016年03月22日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
要約：
【課題】描画精度を向上させることが可能なオフセット量を求めると共に、このオフセット量を求めるのに要する時間を短縮する。【解決手段】本実施形態による荷電粒子ビーム描画装置の調整方法は、荷電粒子ビーム描画装置に設定されるビームサイズのオフセット量を求めるものである。この方法は、所定寸法のビームの分割数を振り、分割したビームを用いて描画を行い、基板上にライン状の評価パターンを形成する工程と、前記評価パターンの線幅の設計寸法からの変化量を分割数毎に求める工程と、分割数毎の前記変化量に、荷電粒子ビームが与えるエネルギーの分布に基づく線幅のモデル関数をフィッティングし、前記オフセット量を算出する工程と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビーム描画装置に設定されるビームサイズのオフセット量を求める荷電粒子ビーム描画装置の調整方法であって、
所定寸法のビームの分割数を振り、分割したビームを用いて描画を行い、基板上にライン状の評価パターンを形成する工程と、
前記評価パターンの線幅の設計寸法からの変化量を分割数毎に求める工程と、
分割数毎の前記変化量に、荷電粒子ビームが与えるエネルギーの分布に基づく線幅のモデル関数をフィッティングし、前記オフセット量を算出する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置の調整方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01J 37/305
H01L21/30 541M
, H01L21/30 541Q
, H01J37/305 B
5C034BB10
, 5F056AA04
, 5F056BA02
, 5F056BA05
, 5F056CC11
