特許
J-GLOBAL ID：201703000597937529
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-136538
公開番号（公開出願番号）：特開2016-201559
特許番号：特許第6143320号
出願日： 2016年07月11日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接する領域を有するソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、電気陰性度が水素よりも低い金属を含み、
前記酸化物半導体膜中のキャリア濃度は1×1011/cm3未満であり、
前記酸化物半導体膜中の水素濃度は、1×1019/cm3以下であり、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極中の水素濃度は、前記酸化物半導体膜中の水素濃度の1.2倍以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 V
