特許

J-GLOBAL ID：201703000638460791

位置センサ

発明者： 金原 孝昌 ,  青山 正紀 ,  松本 佑樹
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人かいせい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-098496
公開番号（公開出願番号）：特開2017-207320
出願日： 2016年05月17日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：

【課題】温度が変化した際の出力変動を抑制することができる位置センサを提供する。【解決手段】第1磁気抵抗素子30の抵抗値は、検出対象100が磁石20に引きつけられないことにより第1領域32に発生する第1の向きの磁気ベクトルに対応した第1抵抗値と、検出対象100が磁石20に引きつけられることにより第2領域33に発生する第2の向きの磁気ベクトルに対応した第2抵抗値と、の割合によって決まる。信号処理部50は、第1磁気抵抗素子30の抵抗値と、磁界の影響を受けないと共に第1磁気抵抗素子30と同じ構成の第2磁気抵抗素子40の抵抗値と、の抵抗比に対応した検出信号を取得する。これにより、温度が変化した際に第1磁気抵抗素子30の抵抗値に含まれる抵抗値温度係数及び抵抗変化率温度係数が相殺されるので、温度が変化した際の出力変動を抑制することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一面(11)を有する支持基板(10)と、 前記支持基板の前記一面側に設けられ、磁界を発生させる磁界発生部(20)と、 前記支持基板のうち前記磁界が貫通する位置に設けられ、前記磁界によって発生する磁気ベクトルの向きに応じて抵抗値が変化する第1磁気抵抗素子(30)と、 前記支持基板のうち前記磁界が貫通しない位置に設けられ、前記第1磁気抵抗素子と同じ材料で構成され、前記第1磁気抵抗素子に直列接続された第2磁気抵抗素子(40)と、 前記第1磁気抵抗素子の抵抗値と、前記第2磁気抵抗素子の抵抗値と、の抵抗比に対応した検出信号を取得する信号処理部(50)と、 を備え、 前記第1磁気抵抗素子の抵抗値は、磁性体で構成された検出対象(100)のうちの前記一面の面方向の先端部(110)が前記第1磁気抵抗素子から離れていると共に基準位置から当該面方向のうちの一つの方向である移動方向に移動する位置に応じて、前記検出対象が前記磁界発生部に引きつけられないことにより前記第1磁気抵抗素子の第1領域(32)に発生する第1の向きの磁気ベクトルに対応した第1抵抗値と、前記検出対象が前記磁界発生部に引きつけられることにより前記第1磁気抵抗素子の第2領域(33)に発生する第2の向きの磁気ベクトルに対応した第2抵抗値と、の割合によって決まる位置センサ。

IPC (1件)：

G01D 5/18

FI (1件)：

G01D5/18 E

Fターム (8件)：

2F077AA13 ,  2F077CC02 ,  2F077JJ03 ,  2F077JJ09 ,  2F077JJ21 ,  2F077TT13 ,  2F077UU09 ,  2F077UU20