特許

J-GLOBAL ID：201703000699229316

炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置

発明者： 和田 圭司 ,  土井 秀之 ,  伊東 洋典
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-570903
特許番号：特許第6090552号
出願日： 2016年08月02日
要約：

【要約】 炭化珪素層を形成する工程において、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した第1値をX軸とし、アンモニアの流量をsccmを単位として表記した第2値をY軸としたとき、第1値および第2値は、XY平面座標における、第1座標、第2座標、第3座標および第4座標に囲まれた四角形の領域内に属する。第1座標は、(0.05,6.5×10-4)である。第2座標は、(0.05,4.5×10-3)である。第3座標は、(0.22,1.2×10-2)である。第4座標は、(0.22,1.3×10-1)である。炭化珪素層を形成する工程後において、炭化珪素層のキャリア濃度の平均値は、1×1015cm-3以上2×1016cm-3以下である。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 炭化珪素単結晶基板を反応室内に配置する工程と、 前記反応室に、シランとアンモニアと水素とを含む混合ガスを供給することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層を形成する工程とを備え、 前記炭化珪素単結晶基板の最大径は、100mm以上であり、 前記炭化珪素層を形成する工程において、前記シランの流量を前記水素の流量で除した値を百分率表記した第1値をX軸とし、前記アンモニアの流量をsccmを単位として表記した第2値をY軸としたとき、前記第1値および前記第2値は、XY平面座標における、第1座標、第2座標、第3座標および第4座標に囲まれた四角形の領域内に属し、 前記第1座標は、(0.05,6.5×10-4)であり、 前記第2座標は、(0.05,4.5×10-3)であり、 前記第3座標は、(0.22,1.2×10-2)であり、 前記第4座標は、(0.22,1.3×10-1)であり、 前記炭化珪素層を形成する工程後において、前記炭化珪素層のキャリア濃度の平均値は、1×1015cm-3以上2×1016cm-3以下である、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  C30B 29/36 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 F ,  C30B 29/36 A