特許

J-GLOBAL ID：201703000756794572

導電体並びにそれを用いた基板及び積層体

発明者： 宇都野 太 ,  井上 一吉 ,  笘井 重和 ,  上岡 義弘
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (4件)： 渡邊 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛 ,  平山 晃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-158179
公開番号（公開出願番号）：特開2017-036205
出願日： 2016年08月10日
公開日（公表日）： 2017年02月16日
要約：

【課題】導電性に優れ、主成分酸化物の機械的特性を保持した導電体、並びにこの導電体を用いた基板及び積層体を提供する。【解決手段】下記A群から選択された一種以上の酸化物と、下記B群から選択された一種以上の酸化物と、を含有する導電体であって、電子顕微鏡で観察される、前記導電体における前記B群の酸化物の100×50μm視野中の10μm超の偏析の数が3個以下であることを特徴とする導電体。A群:酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、B群:酸化インジウム、酸化スズ【選択図】図10

請求項（抜粋）：

下記A群から選択された一種以上の酸化物と、下記B群から選択された一種以上の酸化物と、を含有する導電体であって、 電子顕微鏡で観察される、前記導電体における前記B群の酸化物の100×50μm視野中の10μm超の偏析の数が3個以下であることを特徴とする導電体。 A群:酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム B群:酸化インジウム、酸化スズ

IPC (6件)：

C04B 35/00 ,  C04B 41/89 ,  C04B 41/87 ,  C04B 35/10 ,  C04B 35/48 ,  H01B 5/16

FI (6件)：

C04B35/00 J ,  C04B41/89 Z ,  C04B41/87 G ,  C04B35/10 Z ,  C04B35/48 Z ,  H01B5/16

Fターム (21件)：

4G030AA17 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030GA35 ,  4G031AA12 ,  4G031AA27 ,  4G031AA29 ,  4G031AA31 ,  4G031BA02 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031GA18 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G307HA01 ,  5G307HB05 ,  5G307HC04