特許

J-GLOBAL ID：201703000785659064

半導体装置及びその製造方法

発明者： 村松 佑哉 ,  山田 隆行
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-111970
公開番号（公開出願番号）：特開2017-220490
出願日： 2016年06月03日
公開日（公表日）： 2017年12月14日
要約：

【課題】半導体素子が正確に位置決めされ得る半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1では、第1の金属微粒子焼結体を含む接合部材20は、第1の部分21と、第1の部分21から突出する1つ以上の第2の部分22とを含む。半導体素子30は第1の部分21上に設けられている。1つ以上の第2の部分22は、半導体素子30の位置を規制する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の方向と前記第1の方向に直交する第2の方向とに延在する基板を含む下方構造を備え、前記基板は導電部を含み、前記下方構造は、第1表面部分と、前記第1表面部分から前記第1の方向及び前記第2の方向に直交する第3の方向に突出する1つ以上の突出部とを含み、前記1つ以上の突出部は前記第1表面部分に隣接し、さらに、 電極を有する半導体素子と、 前記半導体素子の前記電極を前記導電部に電気的及び機械的に接続する接合部材とを備え、前記接合部材は前記第1表面部分において前記導電部に接しており、 前記接合部材は、第1の部分と、前記第1の部分から前記第3の方向に突出する1つ以上の第2の部分とを含み、前記第1の部分及び前記1つ以上の第2の部分は、それぞれ、前記第1表面部分上及び前記1つ以上の突出部上に設けられており、 前記接合部材は、第1の金属微粒子焼結体を含み、 前記半導体素子は前記第1の部分上に設けられており、 前記1つ以上の第2の部分は、前記第1の方向及び前記第2の方向の少なくとも1つにおいて前記半導体素子の位置を規制する、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/48

FI (2件)：

H01L21/52 A ,  H01L23/48 G

Fターム (4件)：

5F047AA02 ,  5F047AB03 ,  5F047BA00 ,  5F047CA01