特許
J-GLOBAL ID：201703000792333719
SiC単結晶の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 関根 宣夫
, 河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-000156
公開番号（公開出願番号）：特開2017-122011
出願日： 2016年01月04日
公開日（公表日）： 2017年07月13日
要約：
【課題】SiCの結晶成長を行う高温領域における接着力が十分に高く、成長結晶の成長不良を招来しないSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液24に、種結晶保持軸12に保持した種結晶基板14を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、クロムを含むカーボン接着剤を用意する工程、及び前記クロムを含むカーボン接着剤を用いて、種結晶保持軸12に種結晶基板14を接着させて保持させる工程を含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶保持軸に保持した種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、
クロムを含むカーボン接着剤を用意する工程、及び
前記クロムを含むカーボン接着剤を用いて、前記種結晶保持軸に前記種結晶基板を接着させて保持させる工程
を含むことを特徴とする、前記SiC単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CC01
, 4G077ED06
, 4G077EG11
, 4G077EG18
, 4G077LA03
