特許
J-GLOBAL ID：201703000817774111

マルチレベル電力変換装置

発明者：
濱田 鎮教

濱田 鎮教 について

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小堀 賢司

小堀 賢司 について

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長谷川 勇

長谷川 勇 について


出願人/特許権者：
株式会社明電舎

株式会社明電舎 について


代理人 (2件)： 小林 博通 ,  鵜澤 英久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-049187
公開番号（公開出願番号）：特開2017-169250
出願日： 2016年03月14日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】マルチレベル電力変換装置において、スイッチング損失を低減し、スイッチングデバイスの長寿命化および装置の高効率化、小型化,低コスト化を図る。【解決手段】[NP],[-E],[-2E]の電圧出力時の第2スイッチングデバイスS2を「1」(オン状態)とする。[+2E],[+E],[NP]の電圧出力時の第7スイッチングデバイスS7を「1」(オン状態)とする。これにより、第2スイッチングデバイスS2の[+E]←→[NP]のスイッチングパターン遷移時と、第7スイッチングデバイスS7の[-E]←→[NP]のスイッチングパターン遷移時のスイッチングを省略する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
直列接続された第1,第2直流電圧源と、前記第1,第2直流電圧源に接続された各相共通の第1,第2直流モジュールと、前記第1,第2直流電圧源と前記第1,第2直流モジュールに接続され、前記第1,第2直流電圧源と前記第1,第2直流モジュールと出力端子間にそれぞれスイッチングデバイスを有し、このスイッチングデバイスを選択的にON,OFF制御する各相の相モジュールと、を備え、 前記第1直流モジュールは、 前記第1直流電圧源の正極端に一端が接続された第1半導体スイッチと、 前記第1直流電圧源の負極端に一端が接続された第4半導体スイッチと、 前記第1半導体スイッチの他端と前記第4半導体スイッチの他端との間に接続された第1フライングキャパシタと、 前記第1半導体スイッチと前記第1フライングキャパシタの共通接続点に一端が接続された第2半導体スイッチと、 一端が前記第1フライングキャパシタと前記第4半導体スイッチの共通接続点に接続され、他端が前記第2半導体スイッチの他端と接続された第3半導体スイッチと、を有し 前記第2直流モジュールは、 前記第2直流電圧源の正極端に一端が接続された第5半導体スイッチと、 前記第2直流電圧源の負極端に一端が接続された第8半導体スイッチと、 前記第5半導体スイッチの他端と前記第8半導体スイッチの他端との間に接続された第2フライングキャパシタと、 前記第5半導体スイッチと前記第2フライングキャパシタの共通接続点に一端が接続された第6半導体スイッチと、 一端が前記第2フライングキャパシタと前記第8半導体スイッチの共通接続点に接続され、他端が前記第6半導体スイッチの他端に接続された第7半導体スイッチと、を有し、 前記相モジュールは各相に、 前記第1半導体スイッチと前記第1フライングキャパシタの共通接続点に一端が接続された第1スイッチングデバイスと、 前記第2,第3半導体スイッチの共通接続点に一端が接続された第2スイッチングデバイスと、 前記第6,第7半導体スイッチの共通接続点に一端が接続された第7スイッチングデバイスと、 前記第2直流電圧源と前記第8半導体スイッチの共通接続点に一端が接続された第8スイッチングデバイスと、 前記第1,第2スイッチングデバイスの共通接続点と前記第7,第8スイッチングデバイスの共通接続点との間に順次直列接続された第3,第4,第5,第6スイッチングデバイスと、 前記第3,第4スイッチングデバイスの共通接続点と前記第5,第6スイッチングデバイスの共通接続点との間に順次直列接続された第1,第2ダイオードと、 を有し、 前記第4,第5半導体スイッチの共通接続点と前記第1,第2ダイオードの共通接続点を接続し、前記第4,第5スイッチングデバイスの共通接続点を出力端子としたマルチレベル電力変換装置であって、 前記直流モジュールの半導体スイッチと、相モジュールのスイッチングデバイスを以下の表4のスイッチングパターンにより制御することを特徴とするマルチレベル電力変換装置。
IPC (1件)：
H02M 7/483
FI (1件)：
H02M7/483
Fターム (6件)：
5H770AA02 ,  5H770AA15 ,  5H770AA17 ,  5H770DA03 ,  5H770DA33 ,  5H770EA15
引用特許：
出願人引用 (2件)

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