特許

J-GLOBAL ID：201703000912030472

半導体装置の製造方法

発明者： 藤井 秀紀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013068986
公開番号（公開出願番号）：WO2015-004774
出願日： 2013年07月11日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
要約：

半導体基板(1)にIGBT(15)を形成する。半導体基板(1)上にポリシリコン又はアモルファスシリコンにより温度センスダイオード(17)を形成する。IGBT(15)を形成した後に温度センスダイオード(17)の一部を選択的に酸化又は昇華させることで温度センスダイオード(17)を複数のダイオードに分割する。これにより、ポリシリコンの仕上がり寸法のばらつきによる特性への影響を無くすことができる。この結果、特性ばらつきを抑制しつつ小型化することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトランジスタを形成する工程と、 前記半導体基板上にポリシリコン又はアモルファスシリコンによりPINダイオードを形成する工程と、 前記トランジスタを形成した後に前記PINダイオードの一部を選択的に酸化又は昇華させることで前記PINダイオードを複数のダイオードに分割する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20

FI (9件)：

H01L29/78 657F ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/91 E ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 C ,  H01L29/78 658E ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/20

Fターム (6件)：

5F152BB01 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152FF11