特許
J-GLOBAL ID：201703000993523532
半導体装置及びそのメモリアクセス制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-031933
公開番号（公開出願番号）：特開2017-211980
出願日： 2017年02月23日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：
【課題】主演算部上で実行されるプログラムにより利用される副演算部による共用メモリへのアクセスに対するメモリ保護を行うことができる半導体装置及びそのメモリアクセス制御方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、主演算部10で実行されるプログラムの一部の処理を実行する副演算部22と、主演算部10と副演算部22とにより共用される共用メモリ21を有する。副演算部22が、主演算部10から与えられるアクセス許可範囲アドレス値に基づき、副演算部22で実行される処理に起因して発生する共用メモリに対するアクセスを、許可又は不許可とするメモリ保護部34を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プログラムを実行する主演算部と、
前記主演算部で実行されるプログラムの一部の処理を実行する副演算部と、
前記主演算部と前記副演算部からのアクセスを受ける共有メモリと、を有し、
前記副演算部は、
前記主演算部から与えられるアクセス許可範囲アドレス値を格納するレジスタと、
前記主演算部から与えられる動作命令に応じて所定の処理を行う情報処理部と、
前記情報処理部から前記共有メモリに発せられたアクセス要求のうち、前記アクセス許可範囲アドレス値により指定されたアクセス許可範囲内に対するアクセス要求を前記共有メモリに与え、前記アクセス許可範囲アドレス値により指定されたアクセス許可範囲外に対するアクセス要求を遮断するメモリ保護部と、
を有する半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5B017AA01
, 5B017BA01
, 5B017CA01
