特許

J-GLOBAL ID：201703001116691617

III族窒化物構造体

発明者： フレードリク・カールソン ,  チ-ウェイ・スー ,  アンデシュ・ルンドスコグ
出願人/特許権者： ポーラー・ライト・テクノロジーズ・アーベー
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-519069
特許番号：特許第6147854号
出願日： 2013年06月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも4つの辺を有する底面を有する少なくとも一つの構造体ピラミッドを含むIII族窒化物構造体であって、前記構造体ピラミッドが、4つの辺又は6つの辺の何れかを有する底面を有する内側のピラミッドを含み、内側のピラミッドが第1のIII族窒化物で作製され、内側のピラミッドが、第2のIII族窒化物で作製された内側の第1の層、及び第3のIII族窒化物で作製された外側の第2の層で被覆され、第2のIII族窒化物が、第1のIII族窒化物よりも低いバンドギャップ、且つ第3のIII族窒化物よりも低いバンドギャップを有し、 前記構造体ピラミッドの底面は細長くて、少なくとも一つの異方性量子ドットを生成する上部屋根をもたらし、 異方性量子ドットの上部屋根方向に関連した直線偏光が得られる、III族窒化物構造体。

IPC (9件)：

H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  C30B 29/66 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  H01L 33/20 ( 201 0.01) ,  H01L 33/06 ( 201 0.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  B82Y 20/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01)

FI (9件)：

H01L 33/32 ,  C30B 29/66 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/20 ,  H01L 33/06 ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 40/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-200183   出願人：ソニー株式会社