特許
J-GLOBAL ID:201703001121029361

高熱伝導性窒化珪素焼結体、それを用いた窒化珪素基板および窒化珪素回路基板並びに半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人東京国際特許事務所
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2016051427
公開番号(公開出願番号):WO2016-117553
出願日: 2016年01月19日
公開日(公表日): 2016年07月28日
要約:
熱伝導率が50W/m・K以上であり、3点曲げ強度が600MPa以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体において、窒化珪素焼結体の任意の断面をXRD分析したとき、回折角29.3±0.2°、29.7±0.2°、27.0±0.2°、36.1±0.2°で検出される最強ピーク強度I29.3°、I29.7°、I27.0°、I36.1°としたときに、ピーク比(I29.3°)/(I27.0°+I36.1°)が0.01〜0.08を満たし、かつ、ピーク比(I29.7°)/(I27.0°+I36.1°)が0.02〜0.16を満たすことを特徴とする窒化珪素焼結体である。上記構成によれば、熱伝導率が50W/m・K以上と高く、絶縁性および強度が優れた窒化珪素焼結体を提供できる。
請求項(抜粋):
熱伝導率が50W/m・K以上であり、3点曲げ強度が600MPa以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体において、窒化珪素焼結体の任意の断面をXRD分析したときに、 回折角29.3±0.2°、29.7±0.2°、27.0±0.2°、36.1±0.2°で検出される最強ピーク強度をI29.3°、I29.7°、I27.0°、I36.1°としたときに、ピーク比(I29.3°)/(I27.0°+I36.1°)が0.01〜0.08を満たし、かつ、ピーク比(I29.7°)/(I27.0°+I36.1°)が0.02〜0.16を満たすことを特徴とする高熱伝導性窒化珪素焼結体。
IPC (4件):
C04B 35/587 ,  H05K 1/03 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (4件):
C04B35/587 ,  H05K1/03 610D ,  H01L23/36 C ,  H01L23/12 J
Fターム (8件):
5F136BB04 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA18 ,  5F136FA42 ,  5F136FA75 ,  5F136GA02 ,  5F136GA31

前のページに戻る