特許

J-GLOBAL ID：201703001123292221

断続的な再修復プラズマを用い、ALDによる酸化ケイ素表面コーティングを使用したラジカル再結合の最少化

発明者： バドリ・エヌ.・バラダラジャン ,  ボー・ゴン ,  レイチェル・イー.・バッザー ,  フアタン・チュウ ,  バート・ジェイ.・バン シュラベンディック ,  ジェフリー・ホーン
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-054587
公開番号（公開出願番号）：特開2016-216817
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：

【課題】遠隔プラズマで基板を加工を行なうために使用される反応チャンバを調整する方法の提供。【解決手段】反応チャンバ内に基板が存在しない状態で原子層堆積プロセスによって反応チャンバ内部の露出された表面上に低結合材料コーティングを形成するステップと、1つまたは複数の基板に対して、遠隔プラズマ操作を実施した後に、反応チャンバを酸化プラズマに露出させて反応チャンバ内部の露出された表面を調調整し、それにより低再結合材料コーティングを再形成するステップを含む方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

遠隔プラズマ加工を行うために使用される反応チャンバを調整する方法であって、 前記反応チャンバ内に基板が存在しない状態で、原子層堆積プロセスによって前記反応チャンバ内部の露出された表面上に低再結合材料コーティングを形成するステップと、 1つまたは複数の基板に対して遠隔プラズマ操作を実施した後に、前記反応チャンバを酸化プラズマに露出させて、前記反応チャンバ内部の前記露出された表面を再調整し、それにより前記低再結合材料コーティングを再形成するステップと を含む方法。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C16/50 ,  C23C16/44 B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/31 B

Fターム (31件)：

4K030AA02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030DA08 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA11 ,  4K030KA17 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045EC05 ,  5F045EH18 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BG01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-026671   出願人：大陽日酸株式会社, 株式会社日立国際電気

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-026671   出願人：大陽日酸株式会社, 株式会社日立国際電気