特許

J-GLOBAL ID：201703001178288509

炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

発明者： 柘植 弘志 ,  藤本 辰雄 ,  勝野 正和 ,  佐藤 信也 ,  谷 小桃 ,  牛尾 昌史
出願人/特許権者： 新日鐵住金株式会社
代理人 (3件)： 佐々木 一也 ,  成瀬 勝夫 ,  中村 智廣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-117639
公開番号（公開出願番号）：特開2014-234331
特許番号：特許第6111873号
出願日： 2013年06月04日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 坩堝内に装填した炭化珪素原料を加熱して発生させた昇華ガスを、坩堝内で前記炭化珪素原料に対向させて配置した炭化珪素種結晶上に再結晶させる昇華再結晶法により、前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させて炭化珪素単結晶インゴットを製造する炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、 前記炭化珪素単結晶の成長中に、前記炭化珪素原料の底部に対して、高周波誘導加熱により発熱する発熱部材及びこの発熱部材の周囲に配置された断熱部材からなる加熱部のうちの1つ以上の部材を相対的に移動させ、前記炭化珪素原料底部の周辺端部と中心部との間の温度差を低減させるように制御することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 23/06 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶の製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-129197   出願人：株式会社ブリヂストン