特許
J-GLOBAL ID：201703001510693200
貼り合わせSOIウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-116675
公開番号（公開出願番号）：特開2017-005078
出願日： 2015年06月09日
公開日（公表日）： 2017年01月05日
要約：
【課題】 SOIウェーハ製造工程の熱処理工程やデバイス製造工程の熱処理工程を通っても単結晶化が進まないように多結晶シリコン層を堆積することができるとともに、多結晶シリコン層堆積工程のスループットを向上させることができるSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 ベースウェーハに多結晶シリコン層を堆積する工程と、ボンドウェーハに絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を介して多結晶シリコン層の研磨面とボンドウェーハを貼り合わせる工程と、ボンドウェーハを薄膜化する工程とを有し、ベースウェーハとして100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、多結晶シリコン層を堆積する工程は、ベースウェーハの多結晶シリコン層を堆積する表面に予め酸化膜を10nm以上、30nm以下の厚さで形成する段階をさらに含み、多結晶シリコン層の堆積を1050°C以上、1200°C以下の温度で行う貼り合わせSOIウェーハの製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
いずれもシリコン単結晶からなるボンドウェーハとベースウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせて貼り合わせSOIウェーハを製造する方法であって、
少なくとも、
前記ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層を堆積する工程と、
該多結晶シリコン層の表面を研磨する工程と、
前記ボンドウェーハの貼り合わせ面に前記絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜を介して前記ベースウェーハの前記多結晶シリコン層の研磨面と前記ボンドウェーハを貼り合わせる工程と、
貼り合わせられた前記ボンドウェーハを薄膜化してSOI層を形成する工程と
を有し、
前記ベースウェーハとして抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、
前記多結晶シリコン層を堆積する工程は、前記ベースウェーハの前記多結晶シリコン層を堆積する表面に予め酸化膜を10nm以上、30nm以下の厚さで形成する段階をさらに含み、
前記多結晶シリコン層の堆積を1050°C以上、1200°C以下の温度で行うことを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
