ドライエッチング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：有吉修一朗 , 森田靖之 , 筒井宣圭 , 遠藤聡子 , 梶原圭太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-098165
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213407
出願日： 2015年05月13日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：

【課題】優れたエッチングレートを実現可能であり、かつ、高アスペクト比の加工が可能なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】プラズマ発生室10に生じるイオンの平均自由行程をシース厚よりも長くして、定常ガス圧が0.1〜1.0Paの範囲で、かつ、1分間に供給するガス総量が1.0×1017cm-3以上となる様に、真空チャンバ2にガスを供給する。また、イオンを真空チャンバ2内の被処理材に誘導する。更に、被処理材の近傍のプラズマ密度を1018m-3以上とし、ガスをラジカル化して被処理材の被処理面をエッチングする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に電磁場励起プラズマを発生させるプラズマ発生部が生ずるイオンの平均自由行程を被処理材の表面に生じるシース厚よりも長くして、定常ガス圧が0.1〜1.0Paの範囲で、かつ、1分間に供給するガス総量が1.0×1017cm-3以上となる様に、ガスを前記真空チャンバ内に供給するガス供給工程と、前記プラズマ発生部が生ずるイオンを前記真空チャンバ内に配置される試料支持台に位置する被処理材に誘導するイオン誘導工程と、前記被処理材の近傍のプラズマ密度を1018m-3以上とし、前記ガスをラジカル化して前記被処理材の被処理面をエッチング処理するエッチング処理工程とを備えるドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L21/302 105A , H01L21/302 101C , H01L21/302 101D , H05H1/46 L , H05H1/46 C

Fターム (43件)：

2G084AA02 , 2G084BB02 , 2G084BB11 , 2G084BB35 , 2G084CC04 , 2G084CC05 , 2G084CC06 , 2G084CC08 , 2G084CC13 , 2G084CC15 , 2G084CC17 , 2G084CC33 , 2G084DD03 , 2G084DD04 , 2G084DD12 , 2G084DD13 , 2G084DD25 , 2G084DD38 , 2G084DD55 , 2G084FF01 , 2G084FF07 , 2G084FF20 , 2G084FF25 , 2G084FF26 , 2G084FF28 , 2G084FF32 , 2G084FF40 , 2G084HH02 , 2G084HH19 , 2G084HH30 , 2G084HH35 , 2G084HH36 , 5F004AA03 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB18 , 5F004BB29 , 5F004DB01 , 5F004EA13 , 5F004EB08

前のページに戻る