特許
J-GLOBAL ID：201703001621647800
セラミック構造体、その製法及び半導体製造装置用部材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-037658
公開番号（公開出願番号）：特開2017-157328
出願日： 2016年02月29日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
要約：
【課題】AlN基体に主成分がWCであるヒーターを内蔵したセラミック構造体において、クラックや割れの発生を防止すると共に発熱量の大きなものを提供する。【解決手段】セラミック構造体10は、円盤状のAlNセラミック基体12の内部にヒーター電極14を内蔵したものである。ヒーター電極14は、主成分のWCに、AlNよりも抵抗率が低く熱膨張係数の高い金属フィラー(例えばRuとかRuAl)を含有させたものである。AlNセラミック基体12とヒーター電極14との40〜1000°Cにおける熱膨張係数の差の絶対値|ΔCTE|は0.35ppm/°C以下である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
AlNセラミック基体の表面又は内部にヒーター電極を備えたセラミック構造体であって、
前記ヒーター電極は、主成分のWCに、AlNよりも抵抗率が低く熱膨張係数の高い金属フィラーを含有させたものであり、
前記AlNセラミック基体と前記ヒーター電極との40〜1000°Cにおける熱膨張係数の差の絶対値は、0.35ppm/°C以下である、
セラミック構造体。
IPC (4件)：
H05B 3/03
, H01L 21/683
, C04B 35/581
, C04B 41/88
H05B3/03
, H01L21/68 N
, C04B35/58 104Z
, C04B41/88 C
3K092PP20
, 3K092QC02
, 3K092QC70
, 3K092RF11
, 4G001BA36
, 4G001BB36
, 4G001BC42
, 4G001BC72
, 4G001BD23
, 4G001BE31
, 5F131AA02
, 5F131CA02
, 5F131CA09
, 5F131EB11
, 5F131EB14
, 5F131EB16
, 5F131EB18
, 5F131EB19
, 5F131EB78
, 5F131EB79
, 5F131EB81
