特許

J-GLOBAL ID：201703001684388139

エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置

発明者： 松尾 圭一郎 ,  浅野 佑策
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 蔵田 昌俊 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  鵜飼 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-103817
公開番号（公開出願番号）：特開2017-195383
出願日： 2017年05月25日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
要約：

【課題】金属層が設けられた半導体基板をMacEtch法によりエッチングするに際し、高い選択比で半導体をエッチングする。【解決手段】貴金属以外の1以上の金属からなる金属層15によって被覆された第1領域A1と、貴金属からなる触媒層30によって被覆された第2領域A2とを有している半導体基板11に、弗化水素酸と酸化剤と緩衝剤とを含有したエッチング剤を、触媒層30と金属層15に接するように供給して、触媒層30の位置で半導体基板11のエッチングを実施する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

貴金属以外の1以上の金属からなる金属層によって被覆された第1領域と、貴金属からなる触媒層によって被覆された第2領域とを有している半導体基板に、弗化水素酸と酸化剤と緩衝剤とを含有したエッチング剤を、前記エッチング剤が前記触媒層と前記金属層とに接するように供給して、前記触媒層の位置で前記半導体基板のエッチングを生じさせることを含んだエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L21/306 C ,  H01L21/78 S

Fターム (11件)：

5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043EE27 ,  5F043FF01 ,  5F043GG01 ,  5F063AA36 ,  5F063BA21 ,  5F063BA45 ,  5F063CA08 ,  5F063DD42 ,  5F063DD49