結晶配向層積層構造体、電子メモリ及び結晶配向層積層構造体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：塩田伸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015062375
公開番号（公開出願番号）：WO2015-174240
出願日： 2015年04月23日
公開日（公表日）： 2015年11月19日
要約：

下地基板や電極基板の材質を幅広く選択可能な結晶配向層積層構造体、前記結晶配向層積層構造体を用いた電子メモリ及び前記結晶配向層積層構造体の製造方法を提供する。本発明に係る結晶配向層積層構造体は、基板と、前記基板上に積層されるとともにゲルマニウム、シリコン、タングステン、ゲルマニウム-シリコン、ゲルマニウム-タングステン及びシリコン-タングステンのいずれかで形成され、厚みが薄くとも1nm以上である配向制御層と、前記配向制御層上に積層されるとともにSbTe、Sb2Te3、BiTe、Bi2Te3、BiSe及びBi2Se3のいずれかを主成分として形成され、一定の結晶方位に配向される第1の結晶配向層と、を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に積層されるとともにゲルマニウム、シリコン、タングステン、ゲルマニウム-シリコン、ゲルマニウム-タングステン及びシリコン-タングステンのいずれかで形成され、厚みが薄くとも1nm以上である配向制御層と、前記配向制御層上に積層されるとともにSbTe、Sb2Te3、BiTe、Bi2Te3、BiSe及びBi2Se3のいずれかを主成分として形成され、一定の結晶方位に配向される第1の結晶配向層と、を有することを特徴とする結晶配向層積層構造体。

IPC (7件)：

H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 45/00 , H01L 49/00 , C23C 14/06 , C30B 29/46

FI (7件)：

H01L29/82 Z , H01L27/10 447 , H01L27/10 448 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z , C23C14/06 G , C30B29/46

Fターム (45件)：

4G077AA03 , 4G077BE26 , 4G077DA12 , 4G077EF02 , 4G077EF04 , 4G077SA04 , 4G077SB01 , 4G077SC01 , 4K029AA02 , 4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA32 , 4K029BA35 , 4K029BA41 , 4K029BB07 , 4K029BD01 , 4K029DC02 , 4K029DC05 , 4K029DC35 , 4K029EA01 , 4K029EA08 , 4K029FA04 , 4M119AA19 , 4M119BB20 , 4M119CC05 , 4M119CC10 , 4M119JJ01 , 4M119KK14 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F092AA11 , 5F092AB06 , 5F092AC21 , 5F092BD04 , 5F092BD12 , 5F092BD23 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092CA02 , 5F092CA03

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