特許

J-GLOBAL ID：201703001993654714

撮像装置

発明者： 岩根 正晃
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-007455
公開番号（公開出願番号）：特開2017-130728
出願日： 2016年01月18日
公開日（公表日）： 2017年07月27日
要約：

【課題】 特許文献1のような構成において、高輝度の光量が入射される場合に、光電変換ユニットの後段の回路のダイナミックレンジの設計の自由度について充分な検討がされていなかった。【解決手段】 第2転送トランジスタをオフとした状態で、第1転送トランジスタをオン状態とすることで入力ノードに転送された電荷に基づく第1信号を、増幅トランジスタを介して出力させ、入力ノードにおいて入力ノードに転送された電荷を保持した状態で、第2転送トランジスタをオン状態とすることで、入力ノードに転送された電荷に基づく第2信号を増幅トランジスタを介して出力させ、第1入射光量では第2信号を用いて画像を形成する第1動作と、第1入射光量よりも光量が多い第2入射光量では、第2信号を用いずに、第1信号を増幅した信号を用いて画像を形成する第2動作と、を切り替える制御部を有する。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

信号電荷を蓄積する第1導電型の第1半導体領域を有する第1光電変換部および信号電荷を蓄積する前記第1導電型の第2半導体領域を有する第2光電変換部を含む光電変換ユニットと、 前記光電変換ユニットで生じた電荷が転送される入力ノードを有する増幅トランジスタと、 前記第1光電変換部から前記入力ノードへ電荷を転送する第1転送トランジスタと、 前記第2光電変換部から前記入力ノードへ電荷を転送する第2転送トランジスタと、を有する複数の画素の各々が行列状に配されており、 1つの光電変換ユニットに含まれる前記第1半導体領域および前記第2半導体領域に隣り合う領域のポテンシャル障壁の高さのうち、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間であって、前記第1半導体領域および前記第2半導体領域に隣り合って配された領域の少なくとも一部の領域のポテンシャル障壁の高さが最も低い撮像装置であって、 前記第2転送トランジスタをオフとした状態で、前記第1転送トランジスタをオン状態とすることで前記入力ノードに転送された電荷に基づく第1信号を、前記増幅トランジスタを介して出力させ、 前記入力ノードにおいて前記入力ノードに転送された電荷を保持した状態で、前記第2転送トランジスタをオン状態とすることで、前記入力ノードに転送された電荷に基づく第2信号を前記増幅トランジスタを介して出力させ、 第1入射光量では前記第2信号を用いて画像を形成する第1動作と、 前記第1入射光量よりも光量が多い第2入射光量では、前記第2信号を用いずに、前記第1信号を増幅した信号を用いて画像を形成する第2動作と、を切り替える制御部を有することを特徴とする撮像装置。

IPC (4件)：

H04N 5/357 ,  H04N 5/355 ,  H04N 5/374 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H04N5/335 570 ,  H04N5/335 550 ,  H04N5/335 740 ,  H01L27/14 A

Fターム (27件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB03 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA22 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CX43 ,  5C024CY17 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ28 ,  5C024HX17 ,  5C024HX23 ,  5C024HX28 ,  5C024HX29 ,  5C024HX40 ,  5C024HX50