特許

J-GLOBAL ID：201703002191887280

置換された架橋性化合物を含むレジスト下層膜形成組成物

発明者： 橋本 圭祐 ,  高瀬 顕司 ,  新城 徹也 ,  坂本 力丸 ,  遠藤 貴文 ,  西巻 裕和
出願人/特許権者： 日産化学工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人はなぶさ特許商標事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2014066680
公開番号（公開出願番号）：WO2014-208542
出願日： 2014年06月24日
公開日（公表日）： 2014年12月31日
要約：

【課題】 昇華物の発生が少なく、ホールパターンを有する基板に塗布した時に埋め込み性が良好であり、高いドライエッチング耐性、ウイグリング耐性、耐熱性等を有するリソグラフィー工程に用いられるレジスト下層膜、及びそれらを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 樹脂、及び下記式(1)又は式(2):【化1】(式中、Q1は単結合又はm1価の有機基を示し、R1及びR4はそれぞれ炭素原子数2乃至10のアルキル基、又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を有する炭素原子数2乃至10のアルキル基を示し、R2及びR5はそれぞれ水素原子又はメチル基を示し、R3及びR6はそれぞれ炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至40のアリール基を示す。)で示される架橋性化合物を含むレジスト下層膜形成組成物。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

樹脂、及び下記式(1)又は式(2):

IPC (2件)：

G03F 7/11 ,  G03F 7/26

FI (2件)：

G03F7/11 503 ,  G03F7/26 511

Fターム (19件)：

2H125AE05N ,  2H125AF12N ,  2H125AF38N ,  2H125AM80N ,  2H125AN38N ,  2H125AN39N ,  2H125BA01N ,  2H125BA33N ,  2H125CA12 ,  2H125DA22 ,  2H196AA25 ,  2H196CA06 ,  2H225AE05N ,  2H225AF12N ,  2H225AN38N ,  2H225AN39N ,  2H225BA01N ,  2H225BA33N ,  2H225CA12