光電変換素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：野河信太郎 , 甲斐伸二 , 金子裕輔 , 稲本潔 , 冨田雅己
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013083919
公開番号（公開出願番号）：WO2014-122861
出願日： 2013年12月18日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
要約：

本発明の光電変換素子は、p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを有する光電変換層を備え、前記超格子半導体層は、障壁層と量子層とを交互に繰り返し積層した超格子構造を有し、かつ、前記障壁層の価電子帯の上端と前記障壁層の伝導帯の下端との間に中間エネルギーバンドが形成されるように設けられ、前記中間エネルギーバンドは、前記超格子半導体層の前記p型半導体層に近い領域から前記超格子半導体層の前記n型半導体層に近い領域にかけて形成され、かつ、バンド幅の広い領域とバンド幅の狭い領域とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを有する光電変換層を備え、前記超格子半導体層は、障壁層と量子層とを交互に繰り返し積層した超格子構造を有し、かつ、前記障壁層の価電子帯の上端と前記障壁層の伝導帯の下端との間に中間エネルギーバンドが形成されるように設けられ、前記中間エネルギーバンドは、前記超格子半導体層の前記p型半導体層に近い領域から前記超格子半導体層の前記n型半導体層に近い領域にかけて形成され、かつ、バンド幅の広い領域とバンド幅の狭い領域とを有することを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/035 , H01L 31/10

FI (3件)：

H01L31/04 342A , H01L31/04 342Z , H01L31/10 A

Fターム (10件)：

5F151AA08 , 5F151DA13 , 5F151GA04 , 5F849AA01 , 5F849AB07 , 5F849DA33 , 5F849DA35 , 5F849GA06 , 5F849XB18 , 5F849XB24

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