特許

J-GLOBAL ID：201703002205274406

ウエーハの生成方法

発明者： 平田 和也
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 松本 昂 ,  岡本 知広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-076734
公開番号（公開出願番号）：特開2017-188586
出願日： 2016年04月06日
公開日（公表日）： 2017年10月12日
要約：

【課題】 インゴットから効率よくウエーハを生成することのできるウエーハの生成方法を提供することである。【解決手段】 SiCインゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、第1改質層形成ステップと第2改質層形成ステップを含む。第1改質層形成ステップでは、第1のパワーを有する第レーザービームをインゴットに照射して、インゴットの第1の深さに第1改質層を点在して形成する。第2改質層形成ステップでは、第1のパワーより大きい第2のパワーを有する第2レーザービームをその集光点が第1の深さより深い位置となるように位置付け、更に第2レーザービームが第1改質層に重なるように位置付けて、第2レーザービームをウエーハに照射して、第1の深さの位置に第2改質層及び第2改質層からc面に沿って伸びるクラックを連続して形成する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

第1の面と、該第1の面と反対側の第2の面と、該第1の面から該第2の面に至るc軸と、該c軸に直交するc面とを有するSiCインゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、 SiCインゴットに対して透過性を有する波長で且つ第1のパワーを有する第1レーザービームの第1集光点を該第1の面から生成するウエーハの厚みに相当する第1の深さに位置付けると共に、該第1の面の垂線に対して該c軸がオフ角分傾き、該第1の面と該c面との間にオフ角が形成される第2の方向と直交する第1の方向に該第1レーザービームの該第1集光点を相対的に移動しながら該第1レーザービームを該第1の面に照射し、該第1の面に平行な第1改質層を該第1改質層同士が重ならないように該第1の深さに点在して形成する第1改質層形成ステップと、 該第2の方向に該第1集光点を相対的に移動して所定量インデックス送りする第1インデックスステップと、 該第1改質層形成ステップ及び該第1インデックスステップを実施した後、該インゴットに対して透過性を有する波長で且つ該第1のパワーより大きい第2のパワーを有する第2レーザービームの第2集光点を該第1の面から該第1の深さより深い第2の深さに位置付けると共に、該第2レーザービームのビームスポットが該第1改質層と重なるように位置付けて、該第2集光点と該インゴットとを該第1の方向に相対的に移動しながら該第2レーザービームを該第1の面に照射し、該第1の深さに該第1の面に平行な該第1の方向に伸びる直線状の第2改質層を形成すると共に該第2改質層から該c面に沿って伸長するクラックを形成する第2改質層形成ステップと、 該第2の方向に該第2集光点を相対的に移動して該所定量インデックス送りする第2インデックスステップと、 該第2改質層形成ステップ及び該第2インデックスステップを実施した後、該第2改質層及び該クラックから成る分離起点からウエーハの厚みに相当する板状物を該SiCインゴットから剥離してSiCウエーハを生成するウエーハ剥離ステップと、 を備えたことを特徴とするウエーハの生成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B28D 5/00 ,  B23K 26/53

FI (3件)：

H01L21/304 611Z ,  B28D5/00 Z ,  B23K26/53

Fターム (23件)：

3C069AA01 ,  3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069CA04 ,  3C069EA01 ,  4E168AE01 ,  4E168AE02 ,  4E168CB07 ,  4E168DA02 ,  4E168DA24 ,  4E168DA32 ,  4E168DA40 ,  4E168DA43 ,  4E168DA60 ,  4E168GA00 ,  4E168JA11 ,  4E168KA05 ,  5F057AA12 ,  5F057BA01 ,  5F057BB09 ,  5F057CA02 ,  5F057DA19 ,  5F057DA22