特許

J-GLOBAL ID：201703002231383191

ニオブ酸窒化物層を成長させる方法

発明者： 菊地 諒介 ,  中村 透 ,  田村 聡 ,  村瀬 英昭 ,  羽藤 一仁
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (2件)： 鎌田 健司 ,  前田 浩夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-127243
公開番号（公開出願番号）：特開2017-145498
出願日： 2016年06月28日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：

【課題】小さいキャリア密度を有するニオブ酸窒化物層を成長させる方法を提供すること。【解決手段】本発明は、ニオブ酸窒化物層を成長させる方法であって、以下の工程を具備する。(a)結晶性酸化チタン基板の温度が摂氏600度以上摂氏750度以下に維持されながら、第1ニオブ酸窒化物膜を前記結晶性酸化チタン基板上に成長させる工程、かつ(b)前記工程(a)の後、前記結晶性酸化チタン基板の温度が摂氏350度以上に維持されながら、前記第1ニオブ酸窒化物膜上に、第2ニオブ酸窒化物膜を成長させる工程。ここで、前記ニオブ酸窒化物層は、前記第1ニオブ酸窒化物膜および前記第2ニオブ酸窒化物膜を具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ニオブ酸窒化物層を成長させる方法であって、以下の工程を具備する: (a) 結晶性酸化チタン基板の温度が摂氏600度以上摂氏750度以下に維持されながら、第1ニオブ酸窒化物膜を前記結晶性酸化チタン基板上に成長させる工程、かつ (b) 前記工程(a)の後、前記結晶性酸化チタン基板の温度が摂氏350度以上に維持されながら、前記第1ニオブ酸窒化物膜上に、第2ニオブ酸窒化物膜を成長させる工程、 ここで、前記ニオブ酸窒化物層は、前記第1ニオブ酸窒化物膜および前記第2ニオブ酸窒化物膜を具備する。

IPC (7件)：

C23C 14/06 ,  B01J 35/02 ,  B01J 27/00 ,  C01B 3/04 ,  C01G 33/00 ,  C23C 14/34 ,  B32B 9/00

FI (7件)：

C23C14/06 K ,  B01J35/02 J ,  B01J27/00 M ,  C01B3/04 A ,  C01G33/00 A ,  C23C14/34 K ,  B32B9/00 A

Fターム (42件)：

4F100AA12A ,  4F100AA12B ,  4F100AA17A ,  4F100AA17B ,  4F100AA21C ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66A ,  4F100EH66B ,  4F100EJ42A ,  4F100EJ42B ,  4F100EJ42C ,  4F100GB41 ,  4F100JA11C ,  4F100JA13A ,  4F100JA13B ,  4F100JG10A ,  4F100JG10B ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4G048AA01 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G169AA03 ,  4G169BA04A ,  4G169BA48A ,  4G169BB20A ,  4G169BC55A ,  4G169CB81 ,  4G169CC33 ,  4G169FB02 ,  4K029AA04 ,  4K029BA41 ,  4K029BB07 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08