特許

J-GLOBAL ID：201703002231580400

赤外線検出器

発明者： 白根 昌之 ,  五十嵐 悠一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013003560
公開番号（公開出願番号）：WO2014-087549
出願日： 2013年06月06日
公開日（公表日）： 2014年06月12日
要約：

赤外線検出器は、半導体基板(1)と、半導体基板(1)上に形成された第1のコンタクト層(3)と、第1のコンタクト層(3)上に形成された光吸収層(4)と、光吸収層(4)上に形成された第2のコンタクト層(5)と、第1のコンタクト層(3)と第2のコンタクト層(5)との間に電圧を印加する電圧源(8)と、を備える。光吸収層(4)は、第1の中間層(41A)、量子ドット層(42)、第2の中間層(41B)、電流ブロック層(43)、第3の中間層(41C)、電子ドープ層(44)の順で積層された部分を、少なくとも1つ備える。電流ブロック層(43)の伝導帯の底のエネルギーは中間層(41)の伝導帯の底のエネルギーよりも大きく、第1の中間層(41A)の厚さが、第3の中間層(41C)の厚さよりも厚い。これにより、信号対雑音比の高い赤外線検出器を提供することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された第1のコンタクト層と、 前記第1のコンタクト層上に形成された光吸収層と、 前記光吸収層上に形成された第2のコンタクト層と、 前記第1のコンタクト層と前記第2のコンタクト層との間に電圧を印加する電圧源と、 を備え、 前記光吸収層は、第1の中間層、量子ドット層、第2の中間層、電流ブロック層、第3の中間層、電子ドープ層の順で積層された部分を、少なくとも1つ備え、 前記電流ブロック層の伝導帯の底のエネルギーは前記中間層の伝導帯の底のエネルギーよりも大きく、前記第1の中間層の厚さが、第3の中間層の厚さよりも厚い、赤外線検出器。

IPC (1件)：

H01L 31/026

FI (1件)：

H01L31/08 L

Fターム (23件)：

5F849AA17 ,  5F849AB07 ,  5F849AB17 ,  5F849BA04 ,  5F849BA05 ,  5F849BB02 ,  5F849BB03 ,  5F849CB01 ,  5F849CB14 ,  5F849CB18 ,  5F849DA16 ,  5F849DA27 ,  5F849DA28 ,  5F849DA30 ,  5F849DA33 ,  5F849FA05 ,  5F849FA13 ,  5F849GA06 ,  5F849GA17 ,  5F849LA01 ,  5F849XB18 ,  5F849XB24 ,  5F849XB32