特許
J-GLOBAL ID：201703002246708666

半導体装置の製造方法

発明者：
蔀 拓一郎

蔀 拓一郎 について

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川瀬 祐介

川瀬 祐介 について

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山下 潤一

山下 潤一 について

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吉野 学

吉野 学 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-154667
公開番号（公開出願番号）：特開2015-026683
特許番号：特許第6186984号
出願日： 2013年07月25日
公開日（公表日）： 2015年02月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の表面に表面窒化膜を形成し、前記基板の裏面に裏面窒化膜を形成する工程と、 前記表面窒化膜の上に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜で前記表面窒化膜を保護しつつ、ウェットエッチングで前記裏面窒化膜を除去する工程と、 前記裏面窒化膜を除去した後に前記保護膜を除去する工程と、 前記表面窒化膜をパターニングし前記表面窒化膜に開口を形成する工程と、 前記開口に露出した前記基板の表面に第1酸化膜を形成しつつ、前記基板の裏面に第2酸化膜を形成する工程と、を備え、 前記保護膜は酸化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/762 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/76 D ,  H01L 21/94 A ,  H01L 27/12 F
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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