特許
J-GLOBAL ID：201703002427375944
磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-164058
公開番号（公開出願番号）：特開2017-040628
出願日： 2015年08月21日
公開日（公表日）： 2017年02月23日
要約：
【課題】磁気抵抗素子に対して新たに磁性膜を追加しなくてもピン層からの漏れ磁界を抑制できる構造の磁気センサを提供する。【解決手段】センサ領域50と対向するヨーク領域60を備え、ヨーク領域60に備えたピン層60aの磁化方向を、ヨーク領域60と対応するセンサ領域50に備えられたピン層20の磁化方向と同方向とする。これにより、ヨーク領域60のピン層60aとセンサ領域50のピン層20との間で磁気回路が形成される。このため、ヨーク領域60のピン層60aが発生させる磁界の影響で、センサ領域50のピン層20の漏れ磁界の経路が変化し、漏れ磁界がヨーク領域60側に導かれる。よって、ピン層20の漏れ磁界が中間層30を超えて更にフリー層40に至ることを抑制できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板(10)と、
前記基板の上に薄膜状に形成され、前記基板の面方向に対して平行な一方向を磁化方向として固定された磁化固定層(20)と、前記磁化固定層の上に形成された薄膜状の中間層(30)と、前記中間層の上に薄膜状に形成され、外部磁界によって磁化方向が変化する磁界検出層(40)と、を有するセンサ領域(50)と、
平面状とされ、前記磁化固定層の側面と対向する側面を有し、前記磁化固定層における磁化方向と同方向もしくは反対方向の少なくとも一方に配置され、空気よりも高透磁率で構成された高透磁率膜(60a)を有するヨーク領域(60)と、を備えていることを特徴とする磁気センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R33/06 R
, H01L43/08 Z
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AC06
, 2G017AC07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5F092AA15
, 5F092AB01
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD05
, 5F092AD08
, 5F092BB22
, 5F092BB31
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BC04
, 5F092FA08
