半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：青木篤 , 伊坪公一 , 樋口外治 , 小林龍
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-085851
公開番号（公開出願番号）：特開2014-209511
特許番号：特許第6107357号
出願日： 2013年04月16日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1面と第2面とを有する第1半導体基板と、前記第1半導体基板を貫通し、前記第2面から突出する突出部を有する貫通電極と、前記突出部の側面を覆い、前記突出部の端面を露出させる開口部を有し、前記突出部の長さよりも厚い厚さを有する前記第2面上の絶縁層と、を備え、前記端面が前記第1面側に凹む形状を有する半導体装置。

IPC (3件)：