特許
J-GLOBAL ID：201703002638227836
放熱基板、半導体パッケージ、及び半導体モジュール、並びに放熱基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-148579
特許番号：特許第6041117号
出願日： 2016年07月28日
要約：
【課題】XY面内及びZ方向で高い熱伝導率と電気伝導度を有しボイド等がなく所期の特性が得られる放熱基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】Mo芯基材11を貫通するように、Cu挿入体12を導入して本体を作製し、その表裏面にCu熱伝導部材13を配置して積層体を作製し、Cuの融点未満に加熱及び加圧してCuを局所的に溶融させて複合合金化する。これにより室温から300°Cの温度範囲での線膨張係数が8.0ppm/K以下であり、300°Cでの熱伝導率が表面に平行な方向において150W/m・K以上かつ厚さ方向において200W/m・K以上であり、電気伝導率が60IACS%以上である放熱基板が得られる。この放熱基板は電極放熱基板として好適に用いることができる。また、こうした放熱基板を備えた半導体パッケージと半導体モジュールが得られる。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 a) Moからなる板状の芯基材を厚さ方向に貫通するように、Cuからなる挿入体を導入して本体を作製し、
b) 前記本体の表面及び裏面にそれぞれCuからなる板状の熱伝導部材を配置して積層体を作製し、
c) 前記積層体をCuの融点未満に加熱及び加圧することにより、前記芯基材と前記挿入体の界面、及び前記芯基材と前記熱伝導部材の界面においてCuを局所的に溶融させて複合合金化する
ことにより、室温から300°Cの温度範囲における線膨張係数の最大値が8.0ppm/K以下であり、300°Cにおける熱伝導率が表面に平行な方向において150W/m・K以上かつ厚さ方向において200W/m・K以上であり、電気伝導率が60IACS%以上である放熱基板を製造する
ことを特徴とする放熱基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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