磁気素子及び記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-183460
公開番号（公開出願番号）：特開2017-059690
出願日： 2015年09月16日
公開日（公表日）： 2017年03月23日
要約：

【課題】高い周波数の磁界を発生可能な磁気素子及び記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1積層部と第3強磁性層とを含む磁気素子が提供される。第1積層部は、第1強磁性層と第2強磁性層と第1非磁性層とを含む。第1強磁性層は、第1磁化を有する。第2強磁性層は、第1方向において第1強磁性層と離間し第2磁化を有する。第1非磁性層は、第1強磁性層と第2強磁性層との間に設けられる。第3強磁性層は、第1方向において第1積層部と積層され、第3磁化を有する。第2強磁性層の第2磁化をMs(emu/cc)、第2強磁性層の反磁界係数をNz、ジャイロ磁気定数をγ(Hz/Oe)としたとき、2γNzMsは、第3強磁性層の磁気共鳴周波数(Hz)の0.9倍以上である。第2磁化は、第1積層部に電流を流したときに発振する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1磁化を有する第1強磁性層と、第1方向において前記第1強磁性層と離間し第2磁化を有する第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を含む第1積層部と、前記第1方向において前記第1積層部と積層され、第3磁化を有する第3強磁性層と、を備え、前記第1磁化の前記第1方向の成分は、前記第1磁化の前記第1方向に対して垂直な第2方向の成分よりも大きく、前記第1積層部を電流が流れないときに、前記第2磁化の前記第1方向の成分は、前記第2磁化の前記第2方向の成分よりも小さく、前記第1積層部を電流が流れないときに、前記第3磁化の前記第1方向の成分は、前記第3磁化の前記第2方向の成分よりも大きく、前記第2強磁性層の前記第2磁化をMs(単位:emu/cc)、前記第2強磁性層の反磁界係数をNz、ジャイロ磁気定数をγ(単位:Hz/Oe)としたとき、2γNzMsは、前記第3強磁性層の磁気共鳴周波数(単位:Hz)の0.9倍以上であり、前記第2磁化は、前記第1積層部に電流を流したときに発振する、磁気素子。

IPC (10件)：

H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , G11B 5/31 , G11B 5/02 , H03B 15/00 , H01F 10/16 , H01F 10/32

FI (9件)：

H01L29/82 Z , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L43/08 M , G11B5/31 A , G11B5/02 R , H03B15/00 , H01F10/16 , H01F10/32

Fターム (67件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD24 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119JJ15 , 4M119KK09 , 4M119KK10 , 4M119KK18 , 5D033AA05 , 5D033BA22 , 5D033BA71 , 5D033BA80 , 5D033BB43 , 5D091AA10 , 5D091CC12 , 5D091CC30 , 5D091DD03 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5F092AA01 , 5F092AB03 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB32 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BB81 , 5F092BB82 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC42 , 5F092BC43 , 5F092BC46 , 5F092FA09 , 5F092GA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-050910 出願人：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所
磁気記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-226721 出願人：株式会社東芝
磁気記録素子及び磁気記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-182286 出願人：株式会社東芝

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