特許

J-GLOBAL ID：201703002888375504

イオン注入方法

発明者： 大橋 智也 ,  岸岡 高広
出願人/特許権者： 日産化学工業株式会社
代理人 (4件)： 萼 経夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  加藤 勉 ,  伴 知篤
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-022739
公開番号（公開出願番号）：特開2016-146486
特許番号：特許第6075586号
出願日： 2016年02月09日
公開日（公表日）： 2016年08月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 13族、14族、15族又は16族の元素を含む化合物及び有機溶剤を含む膜形成組成物を基板上に塗布しベークして膜を形成する工程、不純物イオンを前記膜の上方から前記膜を介して前記基板に注入すると共に、前記膜中の13族、14族、15族又は16族の元素を前記基板中に導入する工程を含む、イオン注入方法であって、 前記化合物は、(メタ)アクリロイル基を有する化合物、(メタ)アクリロイル基を有する化合物の重合体若しくは共重合体、ビニル基を有する化合物、ビニル基を有する化合物の重合体若しくは共重合体、-C(=O)-O-基を有する化合物、-S-S-基を有する化合物、トリアジン環若しくはトリアジントリオン環を有する化合物、ノボラック、カルバゾールノボラック、ポリアミド酸、又はポリイミドである、イオン注入方法。

IPC (1件)：

H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/265 K ,  H01L 21/265 H