特許
J-GLOBAL ID：201703002990473537

LDMOSFETのサージ電流保護回路

発明者：
近藤 啓

近藤 啓 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-060396
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187787
特許番号：特許第6094879号
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 直流電源の出力端子間に、負荷を介して横型構造のLDMOSFETが接続され、前記LDMOSFETのゲート端子にオンパルス信号を入力してスイッチング動作させることで前記負荷に一定の電力を供給させる制御回路において、前記制御回路は、前記LDMOSFETに流れるスイッチング電流を検出して電圧信号に変換して出力する電流検出手段を備え、前記電流検出手段は基準電圧を有し、前記制御回路は、前記電圧信号と前記基準電圧とを比較して前記電圧信号が大きく、かつ前記電圧信号が出力される時間幅が所定の第1の時間を超えた時点で前記LDMOSFETのオン状態をオフさせるオフ手段と、前記オンパルス信号のパルス幅が所定の第2の時間未満の場合には、前記LDMOSFETのオン状態を少なくとも予め定められた時間分オンさせる手段とを備えることを特徴とする制御回路。
IPC (1件)：
H02M 3/28 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H02M 3/28 C ,  H02M 3/28 H
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)
  • 過電流保護回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-064360   出願人：株式会社デンソー

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