特許
J-GLOBAL ID：201703003064233049
貼り合わせSOIウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
好宮 幹夫
, 小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-112475
公開番号（公開出願番号）：特開2017-220503
出願日： 2016年06月06日
公開日（公表日）： 2017年12月14日
要約：
【課題】貼り合わせ界面からのボロン汚染の影響を抑えることで、高抵抗基板の抵抗率低下を抑えることができる貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ベースウェーハ1の貼り合わせ面側に多結晶シリコン層3を堆積し、多結晶シリコン層の表面を研磨して研磨面を得て、研磨面に熱酸化膜4を形成する工程と、ボンドウェーハ2の貼り合わせ面に絶縁膜5を形成する工程と、絶縁膜と熱酸化膜とを密着させてボンドウェーハとベースウェーハを貼り合わせ、貼り合わせられたボンドウェーハを薄膜化してSOI層を形成する工程とを有する。ベースウェーハとして抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、研磨面に形成する熱酸化膜の膜厚を15nm以上とし、熱酸化膜の表面のRMSを0.6nm以下とし、貼り合わせ工程の後に行われる熱処理の最高処理温度を1150°C以下とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
いずれもシリコン単結晶からなるボンドウェーハとベースウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせて貼り合わせSOIウェーハを製造する方法であって、
前記ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層を堆積する工程と、
該多結晶シリコン層の表面を研磨して研磨面を得る工程と、
該研磨面に熱酸化膜を形成する工程と、
前記ボンドウェーハの貼り合わせ面に前記絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜と前記熱酸化膜とを密着させて前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
貼り合わせられた前記ボンドウェーハを薄膜化してSOI層を形成する工程とを有し、
前記ベースウェーハとして抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、
前記研磨面に形成する前記熱酸化膜の膜厚を15nm以上とし、
前記研磨面に形成する前記熱酸化膜の表面のRMSを0.6nm以下とし、
前記貼り合わせ工程の後に行われる熱処理の最高処理温度を1150°C以下とすることを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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