特許
J-GLOBAL ID：201703003177360926
マイクロ波イオン源およびイオン生成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
森下 賢樹
, 村田 雄祐
, 三木 友由
, 富所 輝観夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-028147
公開番号（公開出願番号）：特開2017-147123
出願日： 2016年02月17日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：
【課題】プラズマ室から引き出されるイオンの引出態様を制御する技術を提供する。【解決手段】マイクロ波イオン源10は、プラズマ室12内にマイクロ波を軸方向に導入するためのマイクロ波導入部26と、マイクロ波導入部26と軸方向に対向する位置に設けられるイオン引出部22と、マイクロ波導入部26とイオン引出部22の間を接続する側壁部20と、を有するプラズマ室12と、プラズマ室12外に設けられ、プラズマ室12内に軸方向磁場を発生させる軸方向磁場発生器16と、プラズマ室12外に設けられ、プラズマ室12内にカスプ磁場を発生させるカスプ磁場発生器50と、を備える。カスプ磁場発生器50は、プラズマ室12内のカスプ磁場強度の切り替えが可能となるように構成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマ室内にマイクロ波を軸方向に導入するためのマイクロ波導入部と、前記マイクロ波導入部と前記軸方向に対向する位置に設けられるイオン引出部と、前記マイクロ波導入部と前記イオン引出部の間を接続する側壁部と、を有するプラズマ室と、
前記プラズマ室外に設けられ、前記プラズマ室内に軸方向磁場を発生させる軸方向軸方向磁場発生器と、
前記プラズマ室外に設けられ、前記プラズマ室内にカスプ磁場を発生させるカスプ軸方向磁場発生器と、を備え、
前記カスプ軸方向磁場発生器は、前記プラズマ室内のカスプ磁場強度の切り替えが可能となるように構成されることを特徴とするマイクロ波イオン源。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5C030DD02
, 5C030DE08
, 5C030DE10
