特許
J-GLOBAL ID:201703003211671626

形状順応性が高く、バイアスされた転写システムの、ニップ幅および転写電界均一性の閉ループ制御

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-077610
公開番号(公開出願番号):特開2013-222199
特許番号:特許第6063328号
出願日: 2013年04月03日
公開日(公表日): 2013年10月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 感光体表面と、前記感光体表面に作用可能に関連づけられた露光ステーションと、前記感光体表面に作用可能に関連づけられた現像システムと、基材と、前記感光体表面から前記基材に対する画像の転写に作用すべく関連づけられ、感光体とバイアス画像転写ローラとの間に形成された画像転写ニップと、を含む画像転写印刷装置を用いて基材上に画像をマーキングする方法であって、 a)前記基材上にマーキングされる前記画像を表現する静電像を、前記露光ステーションを用いて前記感光体表面上に形成することと、 b)前記感光体表面上の前記静電像を前記現像システムを用いてトナー材料で現像し、現像画像を生成することと、 c)標準運転電圧によって前記画像転写ニップに電気的にバイアスをかけて前記画像転写ニップを横切る画像転写電界を生成し、さらに前記バイアス画像転写ローラの2つ以上の位置に対して力を加えて前記画像転写ニップのニップ圧を調整することで前記画像転写電界の空間的均一性を制御することにより、前記現像画像を前記感光体表面から前記基材に転写することと、を含み、 前記バイアス画像転写ローラの2つ以上の位置に対して加えられる力が、前記画像転写電界の空間的分布を示す転写電界均一性マップを生成すべく構成された試験モードの間に閉ループ制御システムを実行することで決定され、 前記閉ループ制御システムが、前記標準運転電圧より低い試験モード電圧により前記画像転写ニップに電気的にバイアスをかけつつ前記画像転写電界の前記均一性を検知し、生成された転写電界均一性マップを所定の転写電界均一性標準と比較し、前記転写電界均一性マップが前記転写電界均一性標準よりも低い均一性を示した場合には、前記バイアス画像転写ローラの2つ以上の位置に対して加えられる力のうち1つ以上を調整して、より均一な画像ニップ幅を提供することにより、前記画像転写電界の前記均一性を高めるように構成される、 基材上に画像をマーキングする方法。
IPC (2件):
G03G 15/16 ( 200 6.01) ,  G03G 15/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
G03G 15/16 103 ,  G03G 15/00 303

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