特許
J-GLOBAL ID：201703003220875951

生成方法、プログラム及び情報処理装置

発明者：
荒井 禎

荒井 禎 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-033870
公開番号（公開出願番号）：特開2014-164054
特許番号：特許第6141044号
出願日： 2013年02月22日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を露光する露光装置に使用される複数のマスクのそれぞれのパターンのデータを生成する生成方法であって、 複数のターゲットパターン要素を含むターゲットパターンのデータを取得する第1ステップと、 前記複数のターゲットパターン要素に対応する前記基板上の位置に交差点が配置されるように前記基板上に設定されるグリッドの複数の交差点のうち、前記複数のターゲットパターン要素に対応する位置以外の点で、パターンの転写が許容される許容点を特定する第2ステップと、 前記グリッド上において前記複数のターゲットパターン要素に対応する位置の間が前記許容点で満たされている複数のターゲットパターン要素を1つのグループにする第3ステップと、 前記第3ステップで1つのグループにされた複数のターゲットパターン要素が同一のマスクに配置されるように、前記複数のマスクのそれぞれのパターンのデータを生成する第4ステップと、 を有し、 前記ターゲットパターンは、前記基板に形成されているラインパターンをカットするためのカットパターンであり、前記ターゲットパターン要素の間の距離が前記露光装置の解像限界よりも短いターゲットパターン要素を含み、 前記グリッドのピッチは、前記複数のターゲットパターン要素に対応する位置の最小ピッチの整数倍分の1であり、 前記許容点は、前記許容点において転写されるパターンによって前記ラインパターンがカットされることが許容される点であることを特徴とする生成方法。
IPC (1件)：
G03F 1/70 ( 201 2.01)
FI (1件)：
G03F 1/70
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • "Flexible 2D Layout Decomposition Framework for Spacer-Type Double Pattering Lithography"

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