特許

J-GLOBAL ID：201703003355712939

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  河江 大輔
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-143366
公開番号（公開出願番号）：特開2016-201562
特許番号：特許第6145203号
出願日： 2016年07月21日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜の下方の、第1の電極と、 前記酸化物半導体膜の上方の、第2の電極と、 前記酸化物半導体膜の側面及び上面の、絶縁膜と、を有し、 前記酸化物半導体膜の側面側の表層部は、結晶領域を有し、 前記結晶領域は、前記酸化物半導体膜の側面側の表面に対して、垂直な方向と沿うように、c軸が配向した結晶を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/50 M