特許
J-GLOBAL ID：201703003383718691

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
細羽 みゆき

細羽 みゆき について

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坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-250543
公開番号（公開出願番号）：特開2017-102465
出願日： 2016年12月26日
公開日（公表日）： 2017年06月08日
要約：
【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上の画素部と、 前記基板上のトランジスタと、 前記画素部に設けられた画素電極と、 前記画素部に設けられた容量と、を有し、 前記トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続された第2の導電層と、を有し、 前記容量は、前記第2の導電層を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続された容量配線層と、前記画素電極の一部と、を有し、 前記第1の導電層は、第1の材料からなる金属層を有し、 前記画素電極は、第2の材料からなる第1の透明導電層を有し、 前記容量配線層は、第3の材料からなる第2の透明導電層を有することを特徴とする表示装置。
IPC (7件)：
G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (11件)：
G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L27/08 311D ,  H01L27/08 311A ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102J ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (145件)：
2H192AA24 ,  2H192BA13 ,  2H192BA25 ,  2H192BB02 ,  2H192BB13 ,  2H192BB53 ,  2H192BC24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB71 ,  2H192CB83 ,  2H192CC24 ,  2H192DA12 ,  2H192DA43 ,  2H192DA72 ,  2H192EA43 ,  2H192EA67 ,  2H192EA72 ,  2H192FA14 ,  2H192FA22 ,  2H192FA35 ,  2H192FA65 ,  2H192FA73 ,  2H192FB03 ,  2H192FB05 ,  2H192FB15 ,  2H192FB33 ,  2H192GA31 ,  2H192GA43 ,  2H192GD14 ,  2H192GD61 ,  2H192JA13 ,  2H192JA33 ,  3K107AA01 ,  3K107AA07 ,  3K107AA08 ,  3K107AA09 ,  3K107BB01 ,  3K107BB07 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107FF15 ,  5C094AA09 ,  5C094AA22 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB19 ,  5C094FB20 ,  5C094HA08 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC02 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB15 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC18 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA13 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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