特許

J-GLOBAL ID：201703003707787330

磁気トンネル接合素子及び半導体記憶装置

発明者： 角田 浩司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  加藤 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-184888
公開番号（公開出願番号）：特開2017-059740
出願日： 2015年09月18日
公開日（公表日）： 2017年03月23日
要約：

【課題】磁気トンネル接合の抵抗値の電圧依存性を利用したデータ読み出し動作において十分な動作マージンを実現する磁気トンネル接合素子を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合素子は、第1の磁化自由層と第1の方向に磁化が向いた第1の磁化固定層とを含む第1の磁気トンネル接合と、スペーサを挟んで第1の磁化自由層に結合された第2の磁化自由層と第1の方向と反対の第2の方向に磁化が向いた第2の磁化固定層とを含む第2の磁気トンネル接合とを含み、第1の磁化自由層の磁化方向は第1の方向又は第2の方向のうち選択的に設定されたいずれか一方の方向に不揮発的に維持可能であり、第2の磁化自由層の磁化の反転し易さが第1の磁化自由層の磁化方向に応じて異なる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の磁化自由層と第1の方向に磁化が向いた第1の磁化固定層とを含む第1の磁気トンネル接合と、 スペーサを挟んで前記第1の磁化自由層に磁気的に結合された第2の磁化自由層と前記第1の方向と反対の第2の方向に磁化が向いた第2の磁化固定層とを含む第2の磁気トンネル接合と、 を含み、前記第1の磁化自由層の磁化方向は前記第1の方向又は前記第2の方向のうち選択的に設定されたいずれか一方の方向に不揮発的に維持可能であり、前記第2の磁化自由層の磁化の反転し易さが前記第1の磁化自由層の磁化方向に応じて異なる磁気トンネル接合素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  G11C 11/15

FI (5件)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/10

Fターム (27件)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD32 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE33 ,  4M119HH05 ,  4M119HH17 ,  4M119JJ15 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC12 ,  5F092BC47