特許
J-GLOBAL ID：201703003821404913
ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-144320
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011175
特許番号：特許第6095284号
出願日： 2012年06月27日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ショットキーバリアダイオードであって、
第一の半導体層と、
前記第一の半導体層に接して配置されているLOCOS層と、
前記第一の半導体層との接触面にショットキー接合領域を形成する第一の電極と、前記第一の半導体層と電気的に接続され、前記第一の半導体層よりキャリア濃度の高い第二の半導体層と、
前記LOCOS層の下面と同じ高さにおいて前記第二の半導体層とオーミック接続される第二の電極と、を備え、
前記ショットキー接合領域は、前記第一の半導体層のメサ構造の上面、又は、前記第二の半導体層のメサ構造の上に配置されている前記第一の半導体層の上面に形成されており、
前記LOCOS層は、前記ショットキー接合領域の外周、前記メサ構造の側面及び前記オーミック接続されている前記第二の半導体層と前記第二の電極との接触面と接して、前記ショットキー接合領域の周囲を囲う様に配置されている
ことを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (5件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
, H01L 27/06 102 A
