特許
J-GLOBAL ID：201703003836745253
平坦化方法及びシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安彦 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055412
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168789
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】パターンの側面のラインエッジラフネスを低減させる。【解決手段】基板2上に列状に延長されたパターン31の側面62aに形成された微視的な凹凸を選択的に除去する平坦化方法であって、基板2を載置する載置工程と、活性種となった場合に前記凹凸を形成する素材に基づき前記凹凸と選択的に反応する反応性ガスを導入する導入工程と、凹凸に近接場光を発生しうる波長の光を、偏光素子を介して前記基板に照射する照射工程と、前記光の照射により前記凹凸の局所領域に発生した近接場光に基づく非共鳴過程を経て、前記反応性ガスを解離させて前記活性種を生成させる活性種生成工程と、生成された前記活性種により、前記凹凸を選択的に除去する除去工程とを有し、前記照射工程では、前記光の電場成分の振動方向が、パターン31の延長方向に対して略平行となるように、前記光を偏光させる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板上に列状に延長されたパターンの側面に形成された微視的な凹凸を選択的に除去する平坦化方法であって、
チャンバ内に前記基板を載置する載置工程と、
前記チャンバ内に、活性種となった場合に前記凹凸を形成する素材に基づき前記凹凸と選択的に反応する反応性ガスを導入する導入工程と、
前記凹凸に近接場光を発生しうる波長の光を、偏光素子を介して前記基板に照射する照射工程と、
前記光の照射により前記凹凸の局所領域に発生した近接場光に基づく非共鳴過程を経て、前記反応性ガスを解離させて前記活性種を生成させる活性種生成工程と、
生成された前記活性種により、前記凹凸を選択的に除去する除去工程とを有し、
前記照射工程では、前記光の電場成分の振動方向が、前記パターンの延長方向に対して略平行となるように、前記光を偏光させることを特徴とする平坦化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
H01L21/302 201B
, H01L21/30 570
, H01L21/30 578
5F004AA09
, 5F004BB03
, 5F004BB26
, 5F004CA04
, 5F004DA00
, 5F004DA05
, 5F004DA11
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004DB23
, 5F146LA18
